IRF8513TRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SO
数量:
 3978  
说明:
 MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 11A
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IRF8513TRPBF-8-SO图片

IRF8513TRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:4000
功率耗散:1.5 W
栅极电荷 Qg:5.7 nC
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):22.2 mOhms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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