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IRF8327STR1PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: DIRECTFET? SQ
数量：: 1503
说明：: MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET

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IRF8327STR1PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
功率耗散：42 W
栅极电荷 Qg：9.2 nC
包装形式：Reel
封装形式：Micro-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.9 mOhms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF8327STR1PBF的详细信息，包括IRF8327STR1PBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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