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IRF7832PBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-SO
数量：: 3330
说明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC

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IRF7832PBF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：95
上升时间：6.7 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：34 nC
下降时间：13 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 155 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.8 mOhms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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