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IRF7821TRPBF-1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 8-SOIC
数量：: 3636
说明：: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO

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IRF7821TRPBF-1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 155°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1010 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.1 毫欧 @ 13A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13.6A（Ta）
漏源电压（Vdss）：30 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：HEXFET?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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