IRF7811WPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: SOIC-8
数量：: 3079
说明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：15.6 nC
下降时间：9.9 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOhms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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