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中文参数如下:
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs69nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2204pF @ 25V
功率 - 最大1.79W
安装类型表面贴装
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