IRF7452QPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 SOIC-8
数量:
 8163  
说明:
 MOSFET
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IRF7452QPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:2.5 W
栅极电荷 Qg:33 nC
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
漏极连续电流:4.5 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:International Rectifier

以上是IRF7452QPBF的详细信息,包括IRF7452QPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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