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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:24 ns
工厂包装数量:95
上升时间:47 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:14 nC
下降时间:32 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):35 mOhms
漏极连续电流:6.8 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier
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