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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:38 ns, 42 ns
工厂包装数量:95
上升时间:17 ns, 40 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:18 nC
下降时间:31 ns, 49 ns
包装形式:Tube
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):29 mOhms
漏极连续电流:6.6 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier
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