IRF6892STRPBF

厂家：: Infineon Technologies
封装：: DIRECTFET? S3C
数量：: 216
说明：: MOSFET N CH 25V 28A S3

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中文参数如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2510 pF @ 13 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 4.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 50μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 毫欧 @ 28A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Ta），125A（Tc）
漏源电压（Vdss）：25 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：HEXFET?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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