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IRF6604TR1

厂家：
  International Rectifier
封装：
 DIRECTFET? MQ
数量：
 1251  
说明：
 MOSFET
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IRF6604TR1-DIRECTFET? MQ图片

IRF6604TR1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MQ
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11.5 mOhms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6604TR1的详细信息，包括IRF6604TR1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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