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IRF610STRL

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 2628
说明：: MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp

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IRF610STRL PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：14 ns
工厂包装数量：800
上升时间：17 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms
漏极连续电流：3.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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