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IRF40H233ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TDSON-8-4
数量：: 2565
说明：: MOSFET N-CH 40V 35A 8PQFN

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IRF40H233ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：3.8W（Ta），50W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200pF @ 20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 50μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 35A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：StrongIRFET?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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