IRF3546MTRPBF

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 41-PQFN(6x8)
数量:
 2511  
说明:
 MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
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IRF3546MTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

封装封装/外壳:41-PowerVFQFN
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1310pF @ 13V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 35μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.9 毫欧 @ 27A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc),20A(Tc)
漏源电压(Vdss):25V
FET 功能:逻辑电平门
配置:4 个 N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Infineon Technologies

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