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IPW60R190E6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-247-3
数量：
 182  
说明：
 MOSFET 600V CoolMOS E6 Power Transistor
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IPW60R190E6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6XK SP000797384
典型关闭延迟时间：90 nS
上升时间：10 nS
功率耗散：151 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：63 nC
下降时间：8 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-247-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms at 10 V
漏极连续电流：20.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPW60R190E6的详细信息，包括IPW60R190E6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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