IPU25CN10N G

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-251
数量:
 675  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 35A
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:13 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:4 ns
功率耗散:71 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :38 S / 19 S
下降时间:3 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-251
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):25 m Ohms
漏极连续电流:35 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

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