IPT022N10NF2SATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-HSOF-8
数量：: 8946
说明：: MOSFET

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7300 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：155 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 169μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.25 毫欧 @ 150A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Ta），236A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：StrongIRFET? 2
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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