IPT014N10N5ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-HSOF-8-1
数量：: 1584
说明：: TRENCH >=100V

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IPT014N10N5ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：362A
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：-
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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