IPS118N10N G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO251-3-11
数量：: 7812
说明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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中文参数如下：

零件号别名：IPS118N10NGXK SP000680974
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：21 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0118 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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