首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPS06N03LZ G

IPS06N03LZ G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO251-3-11
数量：
 4833  
说明：
 MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
IPS06N03LZ G-PG-TO251-3-11图片

IPS06N03LZ G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.9 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)25V
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2653pF @ 15V
功率 - 最大83W
安装类型通孔

以上是IPS06N03LZ G的详细信息，包括IPS06N03LZ G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • R6006ANDTL
  • IRF9640PBF-BE3
  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC