IPP65R380C6

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-220-3
数量:
 530  
说明:
 MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPP65R380C6 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPP65R380C6XK IPP65R380C6XKSA1 SP000785082
典型关闭延迟时间:110 nS
上升时间:12 nS
功率耗散:83 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:39 nC
下降时间:11 nS
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.38 Ohms at 10 V
漏极连续电流:10.6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:700 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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