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IPP60R190C6

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220-3
数量：
 7052  
说明：
 MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
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IPP60R190C6 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPP60R190C6XK IPP60R190C6XKSA1 SP000621158
典型关闭延迟时间：110 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：34 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：63 nC
下降时间：9 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohms
漏极连续电流：20.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPP60R190C6的详细信息，包括IPP60R190C6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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