IPP50CN10N G

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-220
数量：: 6390
说明：: MOSFET N-CH 100V 20A

一、本商品被浏览0次.

IPP50CN10N G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：IPP50CN10NGHKSA1 IPP50CN10NGXKSA1 SP000096474
典型关闭延迟时间：14 ns
工厂包装数量：50
上升时间：4 ns
功率耗散：44 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：3 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
漏极连续电流：20 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP50CN10N G的详细信息，包括IPP50CN10N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：