首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPP085N06L G

IPP085N06L G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-220
数量：
 8973  
说明：
 MOSFET N-CH 60V 80A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IPP085N06L G PDF参数资料

中文参数如下：

零件号别名：IPP085N06LGAKSA1 IPP085N06LGXK SP000204188
典型关闭延迟时间：53 ns
工厂包装数量：50
上升时间：19 ns
功率耗散：188 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0085 Ohms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP085N06L G的详细信息，包括IPP085N06L G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SQD25N06-22L_T4GE3
  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC