首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPLU300N04S4R7XTMA2

IPLU300N04S4R7XTMA2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-HSOF-8-1
数量：: 2781
说明：: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF

一、本商品被浏览0次.

IPLU300N04S4R7XTMA2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：429W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：22945 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：287 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 230μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.76 毫欧 @ 100A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPLU300N04S4R7XTMA2的详细信息，包括IPLU300N04S4R7XTMA2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：