IPI50R299CP

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-262-3
数量:
 9167  
说明:
 MOSFET CoolMOS Power Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

IPI50R299CP PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:IPI50R299CPXK IPI50R299CPXKSA1 SP000523748
典型关闭延迟时间:80 nS
上升时间:14 nS
功率耗散:104 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:23 nC
下降时间:12 nS
包装形式:Tube
封装形式:TO-262-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.299 Ohms at 10 V
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:550 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPI50R299CP的详细信息,包括IPI50R299CP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC