IPI50R299CP

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-262-3
数量：: 9167
说明：: MOSFET CoolMOS Power Transistor

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IPI50R299CP PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPI50R299CPXK IPI50R299CPXKSA1 SP000523748
典型关闭延迟时间：80 nS
上升时间：14 nS
功率耗散：104 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：23 nC
下降时间：12 nS
包装形式：Tube
封装形式：TO-262-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.299 Ohms at 10 V
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：550 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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