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IPI12CNE8N G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO262-3
数量：
 4644  
说明：
 MOSFET N-CH 85V 67A
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IPI12CNE8N G-PG-TO262-3图片

IPI12CNE8N G PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：IPI12CNE8NGXK
典型关闭延迟时间：32 ns
工厂包装数量：500
上升时间：21 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0126 Ohms
漏极连续电流：67 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：85 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI12CNE8N G的详细信息，包括IPI12CNE8N G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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