IPI100P03P3L-04

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO262-3
数量:
 4572  
说明:
 MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms
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IPI100P03P3L-04 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:200 ns
工厂包装数量:500
上升时间:45 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:180 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-262
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 m Ohms
漏极连续电流:- 100 A
闸/源击穿电压:- 16 V, + 5 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPI100P03P3L-04的详细信息,包括IPI100P03P3L-04厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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