IPI100P03P3L-04

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO262-3
数量：: 4572
说明：: MOSFET OPTIMOS-P TRNCH P-CH -30V -100A 4mOhms

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IPI100P03P3L-04 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：200 ns
工厂包装数量：500
上升时间：45 ns
功率耗散：200 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：180 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-262
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 m Ohms
漏极连续电流：- 100 A
闸/源击穿电压：- 16 V, + 5 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

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