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IPG20N06S2L65AAUMA1

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TDSON-8-10
数量：
 2583  
说明：
 MOSFET
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IPG20N06S2L65AAUMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-PowerVDFN
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：43W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 15A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc）
漏源电压（Vdss）：55V
FET 功能：逻辑电平门
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：最后售卖
包装：OptiMOS?
系列：散装
品牌：Infineon Technologies

以上是IPG20N06S2L65AAUMA1的详细信息，包括IPG20N06S2L65AAUMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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