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IPF039N03L G

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 8307  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 50A 3.9mOhms
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IPF039N03L G-TO-252图片

IPF039N03L G PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：7 ns
功率耗散：94 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：96 S / 48 S
下降时间：5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.2 m Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPF039N03L G的详细信息，包括IPF039N03L G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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