IPB60R099C6

厂家：: Infineon Technologies
封装：: TO-263
数量：: 2277
说明：: MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor

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中文参数如下：

零件号别名：IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6XT SP000687468
典型关闭延迟时间：75 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：278 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：119 nC
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：99 mOhms
漏极连续电流：37.9 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

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