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IPB108N15N3GATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3
数量：: 10629
说明：: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：214W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3230 pF @ 75 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 160μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10.8 毫欧 @ 83A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：83A（Tc）
漏源电压（Vdss）：150 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：OptiMOS?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

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