IMZA65R048M1HXKSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO247-4-3
数量：: 5914
说明：: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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IMZA65R048M1HXKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1118 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+23V，-5V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 18 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 6mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：64 毫欧 @ 20.1A，18V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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