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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：228W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1900 pF @ 800 V
Vgs（最大值）：+20V，-10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：52 nC @ 15 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 10mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 20A，15V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：CoolSiC?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies
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