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中文参数如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：-
产品状态：在售
包装：CoolSiC?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies
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