IKB30N65EH5ATMA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO263-3
数量:
 6237  
说明:
 IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
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IKB30N65EH5ATMA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):75 ns
测试条件:400V,30A,22 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:24ns/159ns
栅极电荷:70 nC
输入类型:标准
开关能量:870μJ(开),300μJ(关)
功率 - 最大值:188 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:TrenchStop? 5
系列:卷带(TR)
品牌:Infineon Technologies

以上是IKB30N65EH5ATMA1的详细信息,包括IKB30N65EH5ATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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