IKB40N65ES5ATMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO263-3
数量：: 4698
说明：: 40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE

一、本商品被浏览0次.

IKB40N65ES5ATMA1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：73 ns
测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/130ns
栅极电荷：95 nC
输入类型：标准
开关能量：860μJ（开），400μJ（关）
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.74V @ 15V，40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：79 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：TrenchStop? 5
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Infineon Technologies

以上是IKB40N65ES5ATMA1的详细信息，包括IKB40N65ES5ATMA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：