IGLD60R190D1SAUMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-LSON-8-1
数量：: 2187
说明：: GAN HV PG-LSON-8

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IGLD60R190D1SAUMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：157 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 960μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：GaNFET（氮化镓）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：CoolGaN?
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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