HUF76121S3ST

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-263AB
数量:
 7425  
说明:
 MOSFET USE 512-FDB6030BL
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HUF76121S3ST-TO-263AB图片

HUF76121S3ST PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:14 ns, 47 ns
工厂包装数量:800
上升时间:16 ns, 47 ns
功率耗散:75 W
最小工作温度:- 40 C
下降时间:31 ns, 42 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.021 Ohms
漏极连续电流:47 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

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