中文参数如下:
典型关闭延迟时间:20 ns
上升时间:60 ns
功率耗散:200 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:25 ns
封装形式:TO-263AB
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.012 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:55 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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