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HN3C10FUTE85LF

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 US6
数量：
 6581  
说明：
 RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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HN3C10FUTE85LF PDF参数资料

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中文参数如下：
功率 - 最大值：
封装封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安装类型：表面贴装型
工作温度：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 20mA，10V
功率 - 最大值：200mW
增益：11.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.1dB @ 1GHz
频率 - 跃迁：7GHz
电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
晶体管类型：2 NPN（双）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是HN3C10FUTE85LF的详细信息，包括HN3C10FUTE85LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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