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HN1B01FDW1T1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SC-74-6
数量：
 10125  
说明：
 两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary
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HN1B01FDW1T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：380 mW
集电极连续电流：0.2 A
封装形式：SC-74-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是HN1B01FDW1T1G的详细信息，包括HN1B01FDW1T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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