点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
集电极最大连续电流 Ic:40 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-247-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:165 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流:40 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:1.8 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:否
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是HGTG20N60B3_Q的详细信息,包括HGTG20N60B3_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!