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HGTG20N60B3D_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-247-3
数量：: 2799
说明：: IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel

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HGTG20N60B3D_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 40 C
集电极最大连续电流 Ic：40 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-247-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：165 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.8 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGTG20N60B3D_Q的详细信息，包括HGTG20N60B3D_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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