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HGTG18N120BND

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-247-3
数量：: 1485
说明：: IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

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HGTG18N120BND PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：HGTG18N120BND_NL
工厂包装数量：150
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：54 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-247-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：390 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：54 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.45 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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