HGT1S10N120BNST

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D2PAK(TO-263)
数量:
 1224  
说明:
 IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
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HGT1S10N120BNST-D2PAK(TO-263)图片

HGT1S10N120BNST PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:800
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:35 A
包装形式:Reel
封装形式:TO-263AB-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:298 W
栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流:35 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:2.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S10N120BNST的详细信息,包括HGT1S10N120BNST厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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