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HGT1S10N120BNST

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 D2PAK（TO-263）
数量：
 1224  
说明：
 IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
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HGT1S10N120BNST-D2PAK（TO-263）图片

HGT1S10N120BNST PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：35 A
包装形式：Reel
封装形式：TO-263AB-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：298 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
在25 C的连续集电极电流：35 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：2.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是HGT1S10N120BNST的详细信息，包括HGT1S10N120BNST厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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