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HAT2170H-EL-E

厂家：
  Renesas Electronics America Inc
封装：
 SC-100，SOT-669
数量：
 1206  
说明：
 MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
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HAT2170H-EL-E-SC-100，SOT-669图片

HAT2170H-EL-E PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.2 毫欧 @ 22.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：45A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4650pF @ 10V
功率 - 最大：30W
安装类型：表面贴装

以上是HAT2170H-EL-E的详细信息，包括HAT2170H-EL-E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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