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HAT2166H-EL-E

厂家：
  Renesas Electronics America Inc
封装：
 LFPAK
数量：
 1125  
说明：
 MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
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HAT2166H-EL-E PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.8 毫欧 @ 22.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：45A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4400pF @ 10V
功率 - 最大：25W
安装类型：表面贴装

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