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GT20J341,S4X(S

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 TO-220SIS
数量：
 909  
说明：
 DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
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GT20J341,S4X(S PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：90 ns
测试条件：300V，20A，33 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：60ns/240ns
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：500μJ（开），400μJ（关）
功率 - 最大值：45 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT20J341,S4X(S的详细信息，包括GT20J341,S4X(S厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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