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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:70 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:31 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 S
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):7 mOhms
漏极连续电流:78 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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